Micron, presto 3D NAND a 128 layer basate su una nuova architettura
Micron ha eseguito con successo il tape out delle memorie 3D NAND a 128 layer basate sulla nuova architettura RG (Replacement Gate).
Toshiba studia la memoria NAND PLC, può ospitare 5 bit per cella
Toshiba sta lavorando sulle prossime generazioni di memoria NAND BiCs e sperimenta la NAND Penta-level Cell (PLC), capace di archiviare 5 bit per cella.
Crollano i prezzi delle memorie DRAM, le NAND rimangono stabili
Secondo i report pubblicati da DREAMeXchange i prezzi delle memorie DRAM nei primi due trimestri del 2019 sono crollati mentre i prezzi delle NAND sono rimasti invariati.
13 minuti di buio, un danno da oltre 600 milioni di dollari
I 13 minuti in cui è mancata l’energia nell’impianto di produzione della NAND di WD e Toshiba sono costati cari, si sforano i 600 milioni.